为了保护数据接口电路,还必须注意选择电容c合适的TVS器件。 根据应用选择TVS的极性和封装结构。 交流电路选择双极性TVS比较合理; 选择TVS阵列进行多线保护更有优势。 温度考虑:瞬态电压抑制器可以在-55℃~150℃下工作。如果TVS需要在不同的温度下工作,其反向漏电流ID将会增加。 功耗随着 TVS 结温的升高而降低。 从25到175,线性下降约50%。 随着温度的升高,雨击穿电压VBR以一定的系数增加。 因此,有必要查阅相关产品资料,考虑温度变化对其特性的影响。时科品牌二极管质量稳定可靠!上海长电二极管
TVS二极管的全称是瞬态抑制二极管,也叫钳位二极管。 它是一种限压保护器件,英文TransientVoltageSuppression,其功能与压敏电阻非常相似。 器件的非线性特性还用于将过电压钳位到较低的电压值以保护后续电路。 其外观与普通二极管相同,但可吸收高达数千瓦的浪涌功率:其主要特点是在反向应用条件下,当承受高能量大脉冲时,可吸收10-12At 以秒量级的速度,将两极之间的高阻抗转变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,将两极之间的电压钳位在预定值,有效保护电子电路中的精密元件, 免受各种浪涌脉冲的损坏。 当异常高压消失,电路进入正常工作状态后,又恢复到高阻状态。南昌长电二极管原装现货它可以用于整流、稳压和开关等功能。
变容二极管 变容二极管是利用PN结电容随外加偏置电压变化的特性而制成的非线性电容元件。 广泛应用于参量放大器、电子调谐、倍频器等微波电路中。 瞬态电压抑制器TVS 专门用于ESD保护的固态二极管。 TVS二极管与被保护电路并联。 当瞬态电压超过电路的正常工作电压时,二极管就会发生雪崩,为瞬态电流提供通路,保护内部电路不被过电压击穿。 发光二极管采用磷化镓、砷化镓磷材料制成。 它们体积小,向前行驶时会发光。 工作电压低、工作电流小、发光均匀、寿命长,可发出红、黄、绿单色光。 肖特基二极管 基本原理是:在金属(如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,形成的肖特基用来阻挡反向电压。 肖特基结和PN结的整流原理有根本的区别。
整流二极管可以由半导体锗或硅等材料制成。 硅整流二极管击穿电压高、反向漏电流小、高温性能好。 通常高压大功率整流二极管采用高纯度单晶硅制成(掺杂多了容易反向击穿)。 这种器件的结面积较大,可以通过较大的电流(可达数千安培),但其工作频率不高,一般在几十千赫兹以下。 整流二极管主要用于各种低频半波整流电路。 如果需要全波整流,必须将它们连接起来形成整流桥。 整流二极管一般为平面硅二极管,用于各种电源整流电路中。 选择整流二极管时,应考虑其比较大整流电流、比较大反向工作电流、截止频率、反向恢复时间等参数。二极管的引线直径一般较细。
二极管的主要原理是利用PN结的单向导电性。在PN结上加上引线并封装就成为二极管。晶体二极管是由P型半导体和N型半导体形成的PN结。界面两侧形成空间电荷层并建立自建电场。当没有外加电压时,PN结两侧载流子浓度差引起的扩散电流与自建电场引起的漂移电流相等,处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外部电场与自建电场的相互抑制作用使载流子的扩散电流增大,产生正向电流。当外界有反向电压偏压时,外部电场和自建电场进一步加强,在一定的反向电压范围内形成与反向偏压电压值无关的反向饱和电流。当施加的反向电压达到一定水平时,PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值,引起载流子倍增过程,产生大量电子空穴对,产生很大的反向击穿电流。,称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿。稳压二极管国产好还是进口好。南昌MDD二极管批发
二极管的结构简单,制造工艺成熟。上海长电二极管
二极管具有防反作用和整流功能主电路中串联一个二极管,利用二极管的单向导通特性,实现简单、可靠的低成本防反接电路。这种低成本的方案一般用在小电流的场合,比如小玩具。因为二极管导通时会有0.7V(硅管)的导通压降,如果实际电流很大,就会有热损失,从而引起发热。而且,如果反向电压很大,超过反向截止电压,也会击穿二极管本身,导致二极管失效,无法防止反接,从而无法保护后续电路。整改整流电路的作用是将交流降压电路输出的较低电压交流电转变为单向脉动直流电。这就是交流电的整流过程。整流电路主要由整流二极管组成。整流电路后的电压不再是交流电压,而是包含直流电压和交流电压的混合电压,习惯上称为单向脉动直流电压。上海长电二极管